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  聚酰亞胺具有高的熱穩(wěn)定性、高的絕緣性、低的介電常數以及優(yōu)良的機械強度而應用于集成電路。尤其是光敏聚酰亞胺，不但可以大大簡化集成電路的制造工藝，而且所制作的圖形質量大大優(yōu)于非光敏聚酰亞胺。隨著微電子器件不斷向微型化、高密度化方向發(fā)展，對光刻膠的性能要求越來越高。

  1971年，由Kerwin 等〔2〕提出光敏聚酰亞胺（PSPI）。八十年代，日本成功地開發(fā)出離子型負性PSPI 商品（Photoneece）。這種光刻膠在365"nm 有很強的吸收，其感光度為7 ~ 10"mJ / cm2，這是在以往的報導中感光度**的。在后來的研究中，盡管很多學者做了大量的工作，但所合成的離子型PSPI 的感光度大多在920 ~ 150"mJ / cm2 之間。這種離子型負性PSPI 光刻膠的研究焦點主要集中在光敏性叔胺的設計合成上。離子型PSPI 有許多優(yōu)點：1、靈敏度高；2、酰亞胺溫度低；3、膜的機械性能好；4、合成簡便等。近年來有關的報道很多，但感光度都不理想。

  合成了新的復合光敏聚酰胺酸季銨鹽，研究了光敏劑、交聯劑以及化學結構對感光度的影響，并考察了其熱穩(wěn)定性。結果表明以3，3'，4，4'-聯苯四酸二酐- 間苯二胺為主鏈的聚酰胺酸合成的光敏聚酰胺酸季銨鹽有較高的感光度，光敏劑米氏酮的含量在3 ~ 5%，交聯劑2，6-雙（4-疊氮芐基）-4-甲基環(huán)己酮的含量在8 ~ 10%為宜；光敏性叔胺二甲氨基乙醇肉桂叉乙酸酯的含量不可超過8%；由這種復合季銨鹽合成的新的光敏聚酰胺酸鹽在較低的溫度200"C以下就可以完全酰亞胺化，但接近550"C才達到理論失重量。