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  聚酰亞胺的介電常數(shù)￡為3～3．5，對溫度或頻率的依賴性很小。在室溫時體積電阻率為10¹³～10¹⁷Ω·m，而在200℃時為10¹²Ω·m，在200℃以上時，溫度對薄膜的體積電阻率的影響不大。對于介電損耗角正切，改變聚酰亞胺鏈的結(jié)構(gòu)，在室溫下tan8實際上是不變化的，其數(shù)值為(1～1．5)×10^-3。

  聚酰亞胺的介電損耗主要是由于亞胺環(huán)的極性基團C—O而引起的，這種極性基團的位置是對稱的，而且都位于環(huán)上，其極性的活動受到了限制，而叔胺的氮原子的3個鍵都是C—N鍵。所以是趨向于極性抵消。因此聚酰亞胺的介電損耗角正切較低。

  聚酰亞胺有很好的耐電暈性，它比聚酰胺酰亞胺和聚有機硅氧烷要好，一般電暈老化取決于兩個化學反應(yīng)：①由于活性氧的氧化分解；②臭氧、氮氧化物的氧化反應(yīng)。而亞胺結(jié)構(gòu)和芳香族對于這些反應(yīng)的抵抗性大，也有人提出在聚酰亞胺中加入四苯基鉛和四苯基砷等有機化合物可提高耐電暈性。

  聚酰亞胺的耐電弧性不好，這是芳香族聚合物的共同缺點，這方面是和聚酰亞胺分子真空分解而導(dǎo)致成為半導(dǎo)體性的聚合物的傾向是一致的。